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华力55nm CIS工艺开发项目荣获科技进步一等奖

发布时间: 2017-04-10

 

 2017年1月,华力微电子55纳米CMOS图像传感器(CIS)工艺开发项目荣获浦东新区科技进步一等奖。

 华力55nm CIS工艺开发项目,逻辑工艺采用55纳米低功耗技术,充分发挥了55纳米工艺节点低电压、低功耗的优势,是国内CIS工艺采用的最先进的逻辑工艺。像素采用高透光率背照式成像技术(BSI),并结合了3D叠层结构的逻辑图像处理与像素性能优化的芯片生产技术,像素边长从1.4微米到业界目前最小的0.9微米,产品分辨率达到2300万像素。

 在该项目中,华力自主开发的双浅沟槽、双通孔刻蚀、双曝光光刻、超高能注入、低金属污染控制等工艺技术,兼容逻辑与像素工艺,充分满足了像素持续减小的技术需求与图像质量持续改善的品质要求。华力CIS像素覆盖面广,像素尺寸从1.4微米至0.9微米,可覆盖100万-2300万分辨率的摄像头芯片产品,并且像素性能优异,0.9微米像素全势阱能力保持在5000电子以上,暗电流小于10个电子,成为具有华力特色的CIS制造工艺技术。目前该工艺技术已申请了101项发明专利,已获授权11项。

 自2013年6月第一颗CIS产品量产迄今,华力已有11颗差异化的摄像头芯片产品实现量产,累计出货超过6亿颗芯片。这些产品主要用于智能手机前、后置摄像头、安全监控、车用传感器等,目前已被联想、华为、酷派、VIVO等国内外知名手机厂商应用,市场占有率处于业界前列。

图为获奖证书

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